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| Hg1—xCdxTe光导探测器的电学参量分析 | |
| 作者姓名： | 桂永胜 蔡毅 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083 2. 昆明物理所,云南,昆明,6650223 |
| 摘 要： | 测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系．在Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）测量中,发现了表面电子的浓度在１．２～５５Ｋ的范围内没有变化．一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用来分析电阻率随温度变化的关系,由此得到的电学参数与实验及ＳｄＨ测量获得的结果非常符合 |
| 关 键 词： | 光导探测器 Shubnikov-deHaas效应 |
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