基片温度对直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积的ITO膜性能… |
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引用本文: | 程珊华,宁兆元.基片温度对直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积的ITO膜性能…[J].材料科学与工艺,1997,5(1):117-120. |
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作者姓名: | 程珊华 宁兆元 |
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摘 要: | 使用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积了ITO透明导电膜,通过膜的霍尔系数测量及XRD,SEM分析,详细研究了沉积时的基片温度对透光率和电阻率的影响。结果表明;基片温度影响膜的载流子浓度,霍尔迁移率以及膜的结晶程度。当基片温度为150℃附近时所沉积的膜具有较高的载流子浓度和迁移率,因而电阻率最低,而且结晶良好,具有高的透光率。
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关 键 词: | 反应蒸发沉积 ITO膜 基片温度 薄膜 光学性能 |
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