|
|||||
|
|
| MO3Si-MO5Si3硅化物中温氧化行为及其机理 | |
| 引用本文： | 叶长青,姜传海,周健威,吴建生.MO3Si-MO5Si3硅化物中温氧化行为及其机理[J].理化检验(物理分册),2004,40(3):109-111,141. |
| 作者姓名： | 叶长青 姜传海 周健威 吴建生 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，上海市应用材料研究与发展基金 |
| 摘 要： | 研究了Mo3Si-Mo5Si3共晶硅化物在600～1200℃中温氧化行为，分析了中温氧化机理和氧化瘟疫现象。结果表明，在1000℃氧化并发生氧化瘟疫现象的试样中发现在孔洞和裂缝等缺陷处优先生成混合氧化物。这种混合氧化物的体积效应导致pest现象的发生。 |
| 关 键 词： | 共晶硅化物 中温氧化 氧化瘟疫 体积效应 pest现象 孔洞 裂缝 |
OXIDATION AND MECHANISM OF Mo3Si-Mo5Si3 AT ELEVATED TEMPERATURE |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |