| 1200 V 4H-SiC JBS二极管的研制 |
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| 引用本文： | 马骏,王曦,蒲红斌,封先锋.1200 V 4H-SiC JBS二极管的研制[J].电力电子技术,2016(9):100-102. |
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| 作者姓名： | 马骏 王曦 蒲红斌 封先锋 |
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| 作者单位： | 1. 西安电力电子技术研究所,陕西西安,710061;2. 西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西西安710048 |
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| 基金项目： | 陕西省科技统筹创新工程计划项目(2013KTCQ01-09)，西安市科技计划项目(CXY1501)，Overall Innovation Project of Science and Technology Plan Project of Shaanxi(2013KTCQ01-09)，Science and Technology Plan Project of Xi'an(CXY1501) |
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| 摘 要： | 通过理论分析与计算机仿真方法对1 200 V 4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管进行了设计与研究,实现了1 200 V/2 A,1 200 V/5 A及1 200 V/30 A三种等级管芯的研制。鉴于非均匀场限环(FLR)保护效率存在对工艺偏差敏感的问题,所设计各电流等级的管芯均采用均匀FLR作为终端结构。经测试,所研制管芯在反偏压为1 200 V时,漏电流均不大于3μA,且1 200 V/2 A,1 200 V/5 A及1 200 V/30 A三种等级管芯的通态电阻分别为790mΩ,360 mΩ及59.3 mΩ。
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| 关 键 词： | 二极管 结势垒肖特基 碳化硅 |
Study and Fabrication of 1 200 V 4H-SiC JBS Diode |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diode junction barrier schottky silicon carbide |
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