| 低功耗高增益CMOS LNA的设计 |
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| 引用本文： | 伊廷荣,成立,王玲,范汉华,植万江. 低功耗高增益CMOS LNA的设计[J]. 半导体技术, 2008, 33(8) |
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| 作者姓名： | 伊廷荣 成立 王玲 范汉华 植万江 |
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| 作者单位： | 江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA).所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50 Ω的输入阻抗匹配.文中设计的放大器采用TSMC0.18 μmCMOS工艺,用HSPICE模拟软件对其进行了仿真,并进行了流片测试.结果表明,所设计的低噪声放大器结构简单,极限尺寸为0.18 μm,当中心频率fo为2.4 GHz、电源电压VDD为1.8 V时其功率增益S21为16.5 dB,但功耗Pd只有2.9 mW,噪声系数NF为2.4 dB,反向隔离度S12为-58 dB.由此验证了所设计的CMOS RF放大器可以在满足低噪声、低功耗、高增益的前提下向100 nm级的研发方向发展.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 CMOS射频电路 低功耗 高增益 |
Design of Low-Consumption and High-Gain CMOS LNA |
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| Yi Tingrong,Cheng Li,Wang Ling,Fan Hanhua,Zhi Wanjiang. Design of Low-Consumption and High-Gain CMOS LNA[J]. Semiconductor Technology, 2008, 33(8) |
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| Authors: | Yi Tingrong Cheng Li Wang Ling Fan Hanhua Zhi Wanjiang |
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| Affiliation: | Yi Tingrong,Cheng Li,Wang Ling,Fan Hanhua,Zhi Wanjiang(Institute of Electricity , Information,Jiangsu University,Zhenjiang 212013,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low noise amplifier(LNA) CMOS RF circuit low-consumption high-gain |
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