| 20 W X波段GaN MMIC的研究 |
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| 引用本文： | 张志国,王民娟,冯志红,周瑞,胡志富,宋建博,李静强,蔡树军.20 W X波段GaN MMIC的研究[J].半导体技术,2009,34(8). |
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| 作者姓名： | 张志国 王民娟 冯志红 周瑞 胡志富 宋建博 李静强 蔡树军 |
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| 作者单位： | 专用集成电路国家级重点实验室,中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;专用集成电路国家级重点实验室,中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;专用集成电路国家级重点实验室,中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;专用集成电路国家级重点实验室,中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;专用集成电路国家级重点实验室,中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;专用集成电路国家级重点实验室,中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;专用集成电路国家级重点实验室,中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;专用集成电路国家级重点实验室,中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 |
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| 摘 要： | GaN微波单片集成电路(MMIC)具有高工作电压、高输出功率、频带宽、损耗小、效率高、体积小、抗辐照等特点,具有诱人的应用前景,成为国内外许多研究机构研究热点.与GaAs微波功率器件不同,AlGaN/GaN HEMT具有更高的功率密度,因此可以大大节约芯片尺寸;具有高的阻抗特性,更利于电路的匹配.功率MMIC就其电路形式而言分为共面波导和微带电路两种,本文研制的GaN MMIC采用微带电路形式.
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| 关 键 词： | 高输出功率 应用前景 功率密度 微波单片集成电路 工作电压 波段 微波功率器件 研究热点 电路形式 共面波导 |
Research and Complement on 20 W X-Band GaN MMIC |
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| Zhang Zhiguo,Wang Minjuan,Feng Zhihong,Zhou Ru,Hu Zhifu,Song Jianbo,Li Jingqiang,Cai Shujun.Research and Complement on 20 W X-Band GaN MMIC[J].Semiconductor Technology,2009,34(8). |
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| Authors: | Zhang Zhiguo Wang Minjuan Feng Zhihong Zhou Ru Hu Zhifu Song Jianbo Li Jingqiang Cai Shujun |
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| Affiliation: | The National Key Lab.of ASIC;The 13th Research Institute;CETC;Shijiazhuang 050051;China |
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