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太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析
引用本文:李兴辉,白国栋,李含雁,丁明清,冯进军.太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析[J].微波学报,2015,31(S1):48-51.
作者姓名:李兴辉  白国栋  李含雁  丁明清  冯进军
作者单位:( 北京真空电子技术研究所,微波电真空器件国家级重点实验室,北京 100015 )
基金项目:科技部国家重大科学研究计划项目(2013BC933602)
摘    要:本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍 了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势 以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子 器件应用前景。

关 键 词:太赫兹,真空电子器件,场发射阴极,金属薄膜场发射阴极,碳纳米管

Analysis of Field Emission Cathodes for Terahertz Vacuum Electronic Devices
LI Xing-hui,BAI Guo-dong,LI Han-yan,DING Ming-qing,FENG Jin-jun.Analysis of Field Emission Cathodes for Terahertz Vacuum Electronic Devices[J].Journal of Microwaves,2015,31(S1):48-51.
Authors:LI Xing-hui  BAI Guo-dong  LI Han-yan  DING Ming-qing  FENG Jin-jun
Abstract:The requirement of Terahertz (THz) vacuum electronic devices for electron resources is presented in this paper. The analysis shows that field emission cathodes are suitable for THz vacuum electronic devices. The development and the strength of two main field emission cathodes, metal thin film field emission cathode and carbon nanotube cathode are introduced. The obstacles of the cathodes for THz applications are also pointed out and corresponding solutions are suggested. The experiments and the analysis indicate the field emission cathodes a good prospect in THz vacuum electronic devices.
Keywords:
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