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| 4 GDRAM | |
| 作者姓名： | 晶 |
| 摘 要： | 三星电子公司开发出了 4ＧＤＲＡＭ。在今年 2月的半导体学会 (ＩＳＳＣＣ)上公开发表。该产品采用 1μｍ微细工艺技术 ,开创了下一代 4Ｇ存储器半导体制品技术的先河。容量为 4 2亿 90 0 0万位 ,在 1芯片上用英文字换算约 5亿字以上。单行本 6 40卷 ,静止图像 16 0 0枚 ,保持 6 4小时的声音数据。另外 ,还开发出了 高析像度照像显像技术 ]、 确保单元静电容量技术 ]、 低电阻布线技术 ]等较高的尖端工艺技术。如果在 0 1μｍ技术的 12 8Ｍ、 2 5 6ＭＤＲＡＭ上采用该技术的话 ,据说成本可削减到 6 0 %以上。另外 ,还向国内外申请与该技… |
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