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高介电材料Y2O3 薄膜的微结构及界面特性的研究
引用本文:汪洋,侯建朝.高介电材料Y2O3 薄膜的微结构及界面特性的研究[J].硅酸盐通报,2010,29(5):1063-1066.
作者姓名:汪洋  侯建朝
作者单位:商丘职业技术学院,商丘,476000
摘    要:采用射频反应磁控溅射金属钇耙的方法,在硅衬底成功制备了高介电Y2O3薄膜.并深入研究了Y2O3薄膜的微结构和Y2O3/Si 体系的界面结构在高温退火过程中的变化规律.研究结果表明:在400~500 ℃之间,Y2O3 薄膜有一个从单斜相向立方相的物相结构转变过程.在高温退火过程中,Y2O3/Si有界面层SiO2生成,并且随着退火温度增加,界面层SiO2 的厚度也在逐渐增加.

关 键 词:Y2O3薄膜  微结构  界面特性  

Microstructure and Interfacial Properties of Y2O3 Dielectric Thin Films
WANG Yang,HOU Jian-chao.Microstructure and Interfacial Properties of Y2O3 Dielectric Thin Films[J].Bulletin of the Chinese Ceramic Society,2010,29(5):1063-1066.
Authors:WANG Yang  HOU Jian-chao
Abstract:
Keywords:
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