| 氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂 |
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| 引用本文： | 邓金祥,陈浩,刘钧锴,田凌,张岩,周涛,何斌,陈光华,王波,严辉.氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂[J].半导体学报,2006,27(z1):127-130. |
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| 作者姓名： | 邓金祥 陈浩 刘钧锴 田凌 张岩 周涛 何斌 陈光华 王波 严辉 |
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| 作者单位： | 北京工业大学应用数理学院,北京,100022;北京工业大学材料学院,北京,100022;兰州大学物理学院,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.实验结果表明,在氮化硼薄膜中注入S,可以实现氮化硼薄膜的n型掺杂;随着注入剂量的增加,氮化硼薄膜的电阻率降低.真空退火有利于氮化硼薄膜S离子注入掺杂效果的提高.在离子注入剂量为1×1016cm-2时,在600℃的温度下退火60min后,氮化硼薄膜的电阻率为2.20×105 Ω·cm,比离子注入前下降了6个数量级.
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| 关 键 词： | 氮化硼薄膜 n型掺杂 离子注入 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0127-04 |
| 修稿时间： | 2005年12月8日 |
Deposition and Ion Implantation of Boron Nitride Film |
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| Deng Jinxiang,Chen Hao,Liu Junkai,Tian Ling,Zhang Yan,Zhou Tao,He Bin,Chen Guanghua,Wang Bo,Yan Hui.Deposition and Ion Implantation of Boron Nitride Film[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):127-130. |
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| Authors: | Deng Jinxiang Chen Hao Liu Junkai Tian Ling Zhang Yan Zhou Tao He Bin Chen Guanghua Wang Bo Yan Hui |
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