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| 自绝缘氧化限制型850nm垂直腔面发射激光器 | |
| 作者姓名： | 李特 郝二娟 王勇 芦鹏 李再金 李林 曲轶 刘国军 |
| 作者单位： | 1. 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022 2. 吉林大学和平校区公共教学中心,长春,130013 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目,吉林省科技厅资助项目 |
| 摘 要： | 介绍了一种制作氧化限制型垂直腔面发射激光器的新途径,自绝缘工艺.采用该工艺制作了氧化限制型850 nm VCSELs.详细地介绍了自绝缘器件的工作原理和制作流程,并对侧氧化相关参数进行了实验研究.在此基础上,制备了不同出光孔径的850 nm VCSELs器件,测得出光孔径12μm的器件最大输出功率达到10 mW,微分量... |
| 关 键 词： | 自绝缘 氧化限制垂直腔面发射激光器 850 nm 功率 |
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