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| n型4H-SiC欧姆接触特性 | |
| 作者姓名： | 陈刚 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京 210016 |
| 摘 要： | 对不同工艺条件下的NiCr/4H-SiC欧姆接触特性进行了对比研究,得到了良好欧姆接触的最佳工艺条件,为SiC MESFET器件的实现奠定了基础. 文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测得NiCr/4H-SiC的最佳特征接触电阻率达到1.24e-5Ω·cm2,能够很好地满足SiC MESFET器件的需要. |
| 关 键 词： | SiC 欧姆接触 特征接触电阻率 MESFET 退火 |