| Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布 |
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| 引用本文： | 夏冬梅,王荣华,王琦,韩平,梅琴,陈刚,谢自力,修向前,朱顺明,顾书林,施毅,张荣,郑有炓. Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1) |
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| 作者姓名： | 夏冬梅 王荣华 王琦 韩平 梅琴 陈刚 谢自力 修向前 朱顺明 顾书林 施毅 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093
2. 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093;南京电子器件研究所重点实验室,南京,210016 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，教育部高等学校博士学科点专项科研基金，国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex:C缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.
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| 关 键 词： | 化学气相淀积 Si1-xGex:C缓冲层 载流子 |
Carriers Distribution of Si1-xGex:C Buffers Grown on Si(100) by Chemical Vapor Deposition |
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| Xia Dongmei,Wang Ronghua,Wang Qi,Han Ping,Mei Qin,Chen Gang,Xie Zili,Xiu Xiangqian,Zhu Shunming,Gu Shulin,Shi Yi,Zhang Rong,Zheng Youdou. Carriers Distribution of Si1-xGex:C Buffers Grown on Si(100) by Chemical Vapor Deposition[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1) |
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| Authors: | Xia Dongmei Wang Ronghua Wang Qi Han Ping Mei Qin Chen Gang Xie Zili Xiu Xiangqian Zhu Shunming Gu Shulin Shi Yi Zhang Rong Zheng Youdou |
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