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| InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱 | |
| 作者姓名： | 杨新荣 徐波 王占国 任芸芸 焦玉恒 梁凌燕 汤晨光 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,国家基础项目研究特别基金 |
| 摘 要： | 制备了InP基近红外波段量子线激光器,在改变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,高能峰先出现;随激励电流增加,高能峰减弱并随后消失,同时低能峰出现并激射.认为激光器随注入电流的增加表现出的这种特殊的激射谱,是由自组织纳米结构尺寸的不均匀分布引起的. |
| 关 键 词： | InAs量子线 InP基 激光器 激射谱 |
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