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| 共振隧穿二极管的设计、研制和特性分析 | |
| 作者姓名： | 张磊 杨瑞霞 武一宾 商耀辉 高金环 |
| 作者单位： | 1. 河北工业大学,天津,300130 2. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
| 摘 要： | 用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2.4,峰值电流密度达到36.8kA/cm2.进行直流参数测试,得到RTD的I-V特性曲线,对量子阱宽度和帽层厚度对I-V特性的影响进行了分析. |
| 关 键 词： | 共振隧穿二极管 I-V特性曲线 峰谷电流比 负微分电阻 |
| 收稿时间： | 2015-08-18 |
| 修稿时间： | 2007-01-17 |
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