| 基于RT器件的三值与非门、或非门电路设计 |
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| 引用本文： | 林弥,吕伟锋,孙玲玲.基于RT器件的三值与非门、或非门电路设计[J].半导体学报,2007,28(12). |
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| 作者姓名： | 林弥 吕伟锋 孙玲玲 |
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| 作者单位： | 1. 杭州电子科技大学,电子信息学院,杭州,310018;浙江大学信息与电子工程学系,杭州,310027
2. 杭州电子科技大学,电子信息学院,杭州,310018 |
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| 摘 要： | 共振隧穿(resonant tunnel,RT)器件本身所具有的微分负阻(negative differential resistance,NDR)特性使其成为天然的多值器件.文中利用RT器件的负阻特性,以开关序列原理为指导,设计了基于RT电路的开关模型,实现了更为简单的三值RT与非门和或非门电路,并利用MOS网络模型,通过SPICE软件仿真验证了所设计电路的正确性.该设计思想可推广到更高值的多值电路设计中.
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| 关 键 词： | RT器件 多值逻辑 开关序列 与非门 或非门 |
A Design for Triple-Valued NAND and NOR Gates Based on Resonant Tunneling Devices |
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| Lin Mi,Lü Weifeng,Sun Lingling.A Design for Triple-Valued NAND and NOR Gates Based on Resonant Tunneling Devices[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(12). |
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| Authors: | Lin Mi Lü Weifeng Sun Lingling |
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