| 带边工作的光子晶体平板的设计与制作 |
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| 引用本文： | 唐海侠,王启明.带边工作的光子晶体平板的设计与制作[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 唐海侠 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所光电子研发中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 光子晶体的带边群速度反常特性可以用于放大一些光学过程,从而在光电子学领域中具有广泛的应用前景.文中以SOI材料为例,利用3D PWE法对带边工作的光子晶体结构参数进行设计,采用电子束曝光和ICP刻蚀方法结合在SOI衬底的顶层Si上刻蚀三角晶格的空气孔形成光子晶体结构.并通过透射特性测量得到了带边的位置,发现与设计值存在一定的偏差,主要是实际制作的空气孔尺寸比设计值大的缘故.通过在同一样品上制作一组晶格常数相同、孔半径不同的光子晶体结构,得到了带边位置位于1548nm波长的光子晶体,与设计的1550nm基本相符.
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| 关 键 词： | 光子晶体平板 SOI 光子带隙 带边 群速度 |
Design and Fabrication of Photonic Crystal Slab Operating at Band Edge |
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| Tang Haixia,Wang Qiming.Design and Fabrication of Photonic Crystal Slab Operating at Band Edge[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Tang Haixia Wang Qiming |
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| Keywords: | |
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