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| 两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析 | |
| 作者姓名： | 林玲 徐安怀 孙晓玮 齐鸣 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049 2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz. |
| 关 键 词： | 异质结双极晶体管 InGaP/GaAs 直流特性 |
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