| 静电感应器件栅源击穿特性的改善 |
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| 引用本文： | 杨建红,李思渊,王天民. 静电感应器件栅源击穿特性的改善[J]. 半导体技术, 1999, 24(1): 36-38 |
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| 作者姓名： | 杨建红 李思渊 王天民 |
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| 作者单位： | 1. 兰州大学静电感应器件研究所,兰州,730000
2. 北京航空航天大学材料理化研究中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究，结果表明，当使用高阻单晶材料作为芯片的衬底和沟道，沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且源区外延层掺杂深度较高时，器件的击民ｇｓ０基本上局限在１０Ｖ以下，与外延层的厚度没有明显关系，作者指出静电感应器件栅 源击穿的特点是由于沟道宽度较窄和源区道区掺杂浓度差异较大两方面的因素共同的。在这种情况下，栅源击穿电压ＢＶｇｚ０与半导体的击穿电场Ｅｂ和沟道宽度Ｗ的关系可表
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| 关 键 词： | 静电感应器件 栅源击穿电压 正向阻断 分析 |
| 修稿时间： | 1998-03-23 |
Gate-Source Breakdown Performance and Its Improvement for Static Induction Devices |
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| Yang Jianhong,Li Siyuan,Wang Tianmin. Gate-Source Breakdown Performance and Its Improvement for Static Induction Devices[J]. Semiconductor Technology, 1999, 24(1): 36-38 |
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| Authors: | Yang Jianhong Li Siyuan Wang Tianmin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Static induction device Gate source breakdown voltage Forward broking Analysis |
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