| 分子束外延生长Al掺杂n型ZnS1-x Tex的类DX中心 |
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| 引用本文： | 卢励吾,张砚华,K.K.Mak,Z.H.Ma,J.WANG,I.K.Sou,Weikun Ge. 分子束外延生长Al掺杂n型ZnS1-x Tex的类DX中心[J]. 半导体学报, 2001, 11(2) |
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| 作者姓名： | 卢励吾 张砚华 K.K.Mak Z.H.Ma J.WANG I.K.Sou Weikun Ge |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学开放实验室,北京 100083;香港科技大学物理系,九龙,香港 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,香港科技大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 应用光致发光(PL)、电容-电压(C-V)、深能级瞬态谱(DLTS)和光电导(PC)技术系统研究Al掺杂ZnS1-xTex中与Al有关的类DX中心．实验结果表明,ZnS1-xTex中存在与Ⅲ-Ⅴ族半导体DX中心相类似的性质．获得与Al有关的类DX中心光离化能Ei(～1.0eV和2.0eV)和发射势垒Ee(0.21eV和0.39eV),这表明ZnS1-xTex大晶格弛豫的出现是由类DX中心引起．
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| 关 键 词： | 分子束外延 宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体 类DX中心 |
DX-Like Centers in n-Type Al-Doped ZnS1-xTex Grown by Molecular Beam Epitaxy |
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| Abstract: | Al-related DX-like centers were observed in n-type Al-dopedZnS1-xTex epilayers grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates.The photoluminescence,capacitance-voltage,deep level transient spectroscopy,and photoconductivity spectroscopy revealed that the behavior of Al donors in ZnS1-xTex was similar to the so-called DX centers in AlxGa1-xAs.The optical ionization energies (Ei) and emission barrier (Ee) for the observed two Al-related DX-like centers were determined as Ei～1.0eV and ～2.0eV and Ee－0.21eV and 0.39eV,respectively.It was also shown that the formation of Al-related DX-like centers resulted in a significantly large lattice relaxation in ZnS1-xTex. |
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