| 籽晶偏向对高纯半绝缘4H-SiC晶体影响的研究 |
| |
| 引用本文： | 侯晓蕊,王英民,魏汝省,李斌,王利忠,田牧,刘燕燕,淮珍,王程,王光耀. 籽晶偏向对高纯半绝缘4H-SiC晶体影响的研究[J]. 电子工业专用设备, 2019, 48(3) |
| |
| 作者姓名： | 侯晓蕊 王英民 魏汝省 李斌 王利忠 田牧 刘燕燕 淮珍 王程 王光耀 |
| |
| 作者单位： | 山西烁科晶体有限公司,山西太原030024;中国电子科技集团公司第二研究所,山西太原030024;山西烁科晶体有限公司,山西太原,030024 |
| |
| 基金项目： | 国家国际科技合作专项基金;山西省自然科学基金;创新基金;山西省科技重大专项 |
| |
| 摘 要： | 采用PVT法得到高纯4H-SiC体单晶。研究了0°、1°、4°晶体对晶体台阶流、晶体结晶质量、晶体缺陷、晶体电学性能的影响;晶体台阶流采用奥林巴斯显微镜进行表征,晶体缺陷采用莱卡体系显微镜进行表征,晶体结晶质量采用高分辨XRD进行表征,晶体电学性能采用非接触电阻率测试仪进行表征。实验结果表明:4°籽晶生长的晶体缺陷最少,1°与4°籽晶生长的晶体结晶质量相当,0°籽晶生长的晶体电学性能最均匀。
|
| 关 键 词： | 高纯4H-SiC 籽晶 晶片缺陷 结晶质量 电学性能 |
Research into the Influencing Factor of Seed on High Purity 4H-SiC Crystal |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
