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| 半导体微腔激光器 | |
| 作者姓名： | 任大翠 宋晓伟 吴根柱 |
| 作者单位： | 长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022 |
| 基金项目： | 兵器预研基金;CHGJ-1998; |
| 摘 要： | 文章简要叙述了微腔激光器的基本工作原理。采用先进的ＬＰＥ及反应离子刻蚀等微细加工技术制作了盘型－ 图钉式微腔结构,测得其有源区的光荧光谱的半宽度为０ ．０３２ ｅＶ,波长为８１５ ．３３ ｎｍ 。 |
| 关 键 词： | 半导体激光器 微腔激光器 自发辐射 |
| 修稿时间： | 1999-03-29 |
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