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车规SiC MOSFET极限寿命评估后漏电失效机理
引用本文:张宇隆,黄凯,黄以明,郑广州.车规SiC MOSFET极限寿命评估后漏电失效机理[J].电力电子技术,2021,55(12):40-42,54.
作者姓名:张宇隆  黄凯  黄以明  郑广州
作者单位:国家新能源汽车技术创新中心,北京100176
摘    要:

关 键 词:金属氧化物半导体场效应晶体管  漏电  失效机理
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