| InAs/GaSb II类超晶格材料的Si离子注入研究 |
| |
| 引用本文： | 何苗,周易,应翔霄,梁钊铭,黄敏,王志芳,朱艺红,廖科才,王楠,陈建新.InAs/GaSb II类超晶格材料的Si离子注入研究[J].红外与毫米波学报,2024,43(1):15-22. |
| |
| 作者姓名： | 何苗 周易 应翔霄 梁钊铭 黄敏 王志芳 朱艺红 廖科才 王楠 陈建新 |
| |
| 作者单位： | 上海理工大学，上海 200433;中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083,上海理工大学，上海 200433;中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083;国科大杭州高等研究院 物理与光电工程学院，浙江 杭州 310024,中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083,上海理工大学，上海 200433;中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083;国科大杭州高等研究院 物理与光电工程学院，浙江 杭州 310024 |
| |
| 基金项目： | 国家自然基金资助项目（项目号：61904183，61974152，62004205，62104236，62104237，62222412）、国家重点研发计划项目（2022YFB3606800）、上海市启明星培育项目扬帆专项（21YF1455000、22YF1455800）、中国科学院上海技术物理研究所创新专项基金资助项目（CX-399、CX-455） |
| |
| 摘 要： | II类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测，而通过离子注入实现横向PN结，一方面材料外延工艺简单，同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运，且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种材料表征技术，研究了不同能量的Si离子注入以及退火前后对InAs/GaSb II类超晶格材料性能的影响。研究通过Si离子注入，外延材料由P型变为N型，超晶格材料中产生了垂直方向的拉伸应变，晶格常数变大，且失配度随着注入能量的增大而增大，注入前失配度为-0.012%，当注入能量到200 keV时，失配度达到0.072%，超晶格部分弛豫，弛豫程度为14%，而在300 °C 60 s退火后，超晶格恢复完全应变状态，且晶格常数变小，这种张应变是退火引起的Ga-In相互扩散以及Si替位导致的晶格收缩而造成的。
|
| 关 键 词： | InAs/GaSb II类超晶格 离子注入 平面结 退火 HRXRD |
| 收稿时间： | 2023/4/21 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/11/28 0:00:00 |
Si ion implantation study of InAs/GaSb type II superlattice materials |
| |
| HE Miao,ZHOU Yi,YING Xiang-Xiao,LIANG Zhao-Min,HUANG Min,WANG Zhi-Fang,ZHU Yi-Hong,LIAO Ke-Cai,WANG Nan and CHEN Jian-Xin.Si ion implantation study of InAs/GaSb type II superlattice materials[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2024,43(1):15-22. |
| |
| Authors: | HE Miao ZHOU Yi YING Xiang-Xiao LIANG Zhao-Min HUANG Min WANG Zhi-Fang ZHU Yi-Hong LIAO Ke-Cai WANG Nan and CHEN Jian-Xin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | InAs/GaSb Type II superlattice ion implantation planar junction annealing HRXRD |
|
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文 |
|
