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| 新型功率器件IGBT研制 | |
| 引用本文： | 袁寿财.新型功率器件IGBT研制[J].半导体杂志,1996,21(2):5-10. |
| 作者姓名： | 袁寿财 |
| 作者单位： | 西安电力电子技术研究所 西安710061 |
| 摘 要： | 本文简述了ＩＧＢＴ的设计技术和制造工艺，对ＩＧＢＴ的Ｉ－Ｖ特性，开关特性及闩锁效应进行了系统的研究，结合实施工艺对ＩＧＢＴ的版 图及工艺进行了优化设计。合作开发了适于制作ＩＧＢＴ的异型厚外延材料，成功地制了１０Ａ／８００Ｖ，２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了试制样品的测试结果。 |
| 关 键 词： | IGBT VDMOS 半导体功率器件 |
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