| 关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究 |
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| 引用本文： | 张丽,庄奕琪,李小明,姜法明.关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究[J].电子器件,2005,28(1):105-109. |
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| 作者姓名： | 张丽 庄奕琪 李小明 姜法明 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学,微电子所,西安,710071;西安电子科技大学,微电子所,西安,710071;西安电子科技大学,微电子所,西安,710071;西安电子科技大学,微电子所,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件，由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象，着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因，并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则：基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法。同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响。给出了仿真结果。
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| 关 键 词： | 二次击穿 双极晶体管 功率晶体管VDMOS 寄生晶体管 MEDICI |
| 文章编号： | 1005-9490(2005)01-0105-05 |
Analysis and Study of Secondary Breakdown Effect about VDMOSFET |
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| ZHANG Li,ZHUANG Yi-qi,LI Xiao-ming,JIANG Fa-ming.Analysis and Study of Secondary Breakdown Effect about VDMOSFET[J].Journal of Electron Devices,2005,28(1):105-109. |
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| Authors: | ZHANG Li ZHUANG Yi-qi LI Xiao-ming JIANG Fa-ming |
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| Keywords: | MEDICI |
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