| 12 GHz GaAs/InGaAs异质结双栅功率场效应晶体管 |
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| 引用本文： | 王玉林,吴仲华.12 GHz GaAs/InGaAs异质结双栅功率场效应晶体管[J].固体电子学研究与进展,1997,17(2):110-113. |
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| 作者姓名： | 王玉林 吴仲华 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所!210016 |
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| 摘 要： | 报道了GaAs／InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。在12GHz下，最大输出功率≥130mW，增益≥12dB，功率附加效率≥30％。
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| 关 键 词： | GaAs／InGaAs 异质结 双栅功率场效应晶体管 |
12 GHz GaAs/InGaAs Heterojunction Dual-gate Power FET |
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| Wang Yulin Wu Zhonghua Xu Zhongcang Chen Xiaojian.12 GHz GaAs/InGaAs Heterojunction Dual-gate Power FET[J].Research & Progress of Solid State Electronics,1997,17(2):110-113. |
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| Authors: | Wang Yulin Wu Zhonghua Xu Zhongcang Chen Xiaojian |
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| Abstract: | In this paper, the design and fabrication of Ku-band GaAs/InGaAs heterojunction dual-gate power FET are reported. Some key techniques are discussed. Excellent microwave performances of the device have been achieved:PoM≥ 130 mW,GPM≥12 dB and Vaod≥30% at 12 GHz. |
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| Keywords: | CaAs/InGaAs Heterojunction Dual-gate Power FET |
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