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铸造多晶硅中热施主形成规律
引用本文:俞征峰,席珍强,杨德仁,阙端麟.铸造多晶硅中热施主形成规律[J].太阳能学报,2005,26(4):581-584.
作者姓名:俞征峰  席珍强  杨德仁  阙端麟
作者单位:浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
基金项目:国家自然基金项目(50032010);云南省省院省校科技合作专项经费资助项目
摘    要:采用四探针电阻率测试仪和傅立叶红外光谱测试仪,研究了铸造多晶硅中热施主的形成规律。实验发现,初始氧浓度高、位错密度高、碳含量低的样品中,所形成的热施主浓度较高。这表明:碳对热施主的形成有抑制作用;位错对热施主的形成有促进作用;晶界对热施主的形成没有明显地影响,而且碳和初始氧浓度的影响最大。实验还发现,在650℃,0.5h退火处理可以消除部分原生热施主,原生热施主对于随后的热施主的形成规律没有明显影响。

关 键 词:铸造多晶硅    热施主
文章编号:0254-0096(2005)04-0581-04
收稿时间:2003-11-13
修稿时间:2003-11-13

THE FORMATION BEHAVIOR OF THERMAL DONORS IN CAST MULTICRYSTALLINE SILICON
Yu Zhengfeng,Xi Zhenqiang,Yang Deren,Que Duanlin.THE FORMATION BEHAVIOR OF THERMAL DONORS IN CAST MULTICRYSTALLINE SILICON[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2005,26(4):581-584.
Authors:Yu Zhengfeng  Xi Zhenqiang  Yang Deren  Que Duanlin
Abstract:
Keywords:cast multicrystalline silicon  oxygen  thermal donor
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