| 新型1200V SPT＋芯片技术和17mm的IGBT功率模块平台——最先进逆变器设计的理想组合 |
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| 引用本文： | C. Daucher D. Seng A. Wahi. 新型1200V SPT＋芯片技术和17mm的IGBT功率模块平台——最先进逆变器设计的理想组合[J]. 电源世界, 2006, 0(4): 55-58 |
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| 作者姓名： | C. Daucher D. Seng A. Wahi |
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| 作者单位： | [1]SEMIKRON Electronic GmbH ＆ Co. KG [2]SEMIKRON International GmbH |
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| 摘 要： | ![]()
在具有重要意义的1200V电压等级的市场上,SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的采用SEMIX功率模块封装的下一代软穿通(SFT)IGBT,即SPT ,作为今后开发其他产品的产品平台。和以前的软穿通芯片模块相比,SPT 模块的开关损耗和导通损耗低。芯片的自锁模式及极富创新的SEMIX封装使得客户可以容易地设计出成本低、结构紧凑的逆变器。本文介绍了SPT 的电气性能测试结果,并和以前的SPT芯片进行了比较。
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| 关 键 词： | IGBT功率模块 芯片技术 产品平台 逆变器 设计 理想 模块封装 电压等级 芯片模块 导通损耗 |
| 文章编号： | 1561-0349（2006）04-0055-04 |
| 收稿时间： | 2006-01-20 |
| 修稿时间： | 2006-03-29 |
A New Platform for IGBT Modules |
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| C.;Daucher;D.;Seng;A.;Wahi. A New Platform for IGBT Modules[J]. the world of power supply, 2006, 0(4): 55-58 |
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| Authors: | C. Daucher D. Seng A. Wahi |
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| Abstract: | ![]()
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