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| 变频器逆变模块损坏原因分析 | |
| 引用本文： | 王功胜.变频器逆变模块损坏原因分析[J].自动化应用,2010(2). |
| 作者姓名： | 王功胜 |
| 作者单位： | 佳惠机电设备维修中心,洛阳,032200 |
| 摘 要： | 变频器逆变输出模块IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)的优点于一体,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点.但逆变模块非常脆弱,一不小心就会过压、过流损坏. |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
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