| 具有界面依赖光致发光的双层WS2/Ga2O3异质结的能带工程(英文) |
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| 引用本文： | 杨万丽,黄田田,张乐鹏,徐沛然,姜聪,李天信,陈志民,陈鑫,戴宁.具有界面依赖光致发光的双层WS2/Ga2O3异质结的能带工程(英文)[J].红外与毫米波学报,2023,42(2):162-168. |
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| 作者姓名： | 杨万丽 黄田田 张乐鹏 徐沛然 姜聪 李天信 陈志民 陈鑫 戴宁 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;中国科学院大学， 北京 100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083,郑州大学 材料科学与工程学院， 河南 郑州 450052,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083,郑州大学 材料科学与工程学院， 河南 郑州 450052,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;国科大杭州高等研究院，浙江 杭州 310024;中国科学院大学， 北京 100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;国科大杭州高等研究院，浙江 杭州 310024;中国科学院大学， 北京 100049 |
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| 基金项目： | Supported by National Natural Science Foundation of China （92064014， 11933006）， Science and Technology Commission of Shanghai Municipality （18J1414900） and Youth Innovation Promotion Association CAS |
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| 摘 要： | 利用垂直WS2/Ga2O3异质结构中异质界面诱导了反常的光致发光(PL)发射。垂直堆栈的WS2/Ga2O3异质界面使其形成了II型能带结构，导致与Ga2O3层接触的底层WS2的PL强度下降。而异质界面的强耦合作用也影响了双层WS2中的同质层间相互作用，使得上层WS2出现反常的PL增强。这种堆栈新型二维异质结构为定制目标能带结构并控制其光子和电子行为提供一种新的手段。
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| 关 键 词： | 二硫化钨 氧化镓 异质结 界面 光致发光 |
| 收稿时间： | 2022/9/14 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/3/7 0:00:00 |
Band alignment engineering of bilayer WS2/Ga2O3 heterostructures with interface-dependent photoluminescence |
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| YANG Wan-Li,HUANG Tian-Tian,ZHANG Le-Peng,XU Pei-Ran,JIANG Cong,LI Tian-Xin,CHEN Zhi-Min,CHEN Xin and DAI Ning.Band alignment engineering of bilayer WS2/Ga2O3 heterostructures with interface-dependent photoluminescence[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2023,42(2):162-168. |
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| Authors: | YANG Wan-Li HUANG Tian-Tian ZHANG Le-Peng XU Pei-Ran JIANG Cong LI Tian-Xin CHEN Zhi-Min CHEN Xin and DAI Ning |
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| Keywords: | WS2 Ga2O3 heterostructure interface photoluminescence |
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