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| 一种高性能16K(2K×8)NMOS-SRAM的设计与分析 | |
| 引用本文： | 徐葭生,张明宝,杨肇敏,张钟宣.一种高性能16K(2K×8)NMOS-SRAM的设计与分析[J].半导体学报,1986,7(6):573-581. |
| 作者姓名： | 徐葭生 张明宝 杨肇敏 张钟宣 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 (徐葭生，张明宝，杨肇敏)，清华大学微电子学研究所(张钟宣) |
| 摘 要： | 本文描述一种性能较好的16K(2K×8)NMOS-SRAM的设计.该电路采用3μmNMOS双层多晶硅工艺进行制作.对它的结构、存贮单元、灵敏读出放大器以及译码电路等进行了分析和优化.用CAD电路模拟的结果与实测十分接近,取数时间为120ns,工作功耗为150mW. |
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