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YG13硼化处理后沉积气压对金刚石薄膜的影响
引用本文:魏秋平,余志明,马莉,游小龙,丰杰,吴晓斌,刘王平.YG13硼化处理后沉积气压对金刚石薄膜的影响[J].中国有色金属学报,2007,17(5):775-782.
作者姓名:魏秋平  余志明  马莉  游小龙  丰杰  吴晓斌  刘王平
作者单位:1. 中南大学,材料科学与工程学院,长沙,410083
2. 中南大学,粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083
摘    要:采用超高真空热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,以甲烷和氢气为反应气体,在YG13(WC-13%Co)硬质合金基体上沉积金刚石薄膜。用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射仪(XRD)对金刚石薄膜进行检测分析,研究YG13经950℃、3h硼化预处理后沉积气压对金刚石薄膜形貌和生长织构的影响;通过压痕法比较硼化与二步法两种预处理方法对金刚石薄膜附着性能的影响。结果表明,基体经硼化预处理后表面形成CoB、CoW2B2、CoW3B3相;当沉积温度为750~800℃,碳源浓度为3.3%时,薄膜表面形貌和生长织构随着沉积气压改变有明显的变化;硼化预处理后所得样品在1500N载荷下压痕表现出良好的附着性能,较二步法预处理更加有效地改善了膜-基附着性能。

关 键 词:金刚石薄膜  硬质合金  硼化预处理  附着性能
文章编号:1004-0609(2007)05-0775-08
收稿时间:2006-08-25
修稿时间:2007-03-29

Effect of ambient pressure on diamond films on boronized WC-13%Co substrates
WEI Qiu-ping,YU Zhi-ming,MA Li,YOU Xiao-long,FENG Jie,WU Xiao-bing,LIU Wang-ping.Effect of ambient pressure on diamond films on boronized WC-13%Co substrates[J].The Chinese Journal of Nonferrous Metals,2007,17(5):775-782.
Authors:WEI Qiu-ping  YU Zhi-ming  MA Li  YOU Xiao-long  FENG Jie  WU Xiao-bing  LIU Wang-ping
Affiliation:1. School of Materials Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083, China; 2. Key State Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha 410083, China
Abstract:
Keywords:diamond films  cemented carbide  boronizing pretreatment  adhesion
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