| 热丝CVD法制备C—N薄膜的结构分析 |
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| 引用本文： | 耿东生 杨振江. 热丝CVD法制备C—N薄膜的结构分析[J]. 微细加工技术, 1998, 0(3): 72-78 |
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| 作者姓名： | 耿东生 杨振江 |
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| 作者单位： | 西北工业大学材料科学与工程系!西安710072 |
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| 摘 要： | ![]()
用热丝 CVD法 ,以甲烷、氮气和氢气为气源 ,在 Si( 1 1 1 )衬底上沉积了C- N薄膜。用 X射线光电子谱 ( xps)、喇曼光谱 ( RS)、X射线衍射 ( XRD)和扫描电镜( SEM) ,对 C- N薄膜的结构及生长速率进行了分析研究。结果表明 :C- N薄膜的结构为非晶态 ,同时含有金刚石和石墨相 ;氮以三种不同的化学键合状态存在于膜中 ,其中 β键合状态的结合能与晶态 β- C3N4的结合能接近 ;随混合气体中氮气含量增加 ,C- N薄膜的生长速率减小。
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| 关 键 词： | 热丝CVD C-N薄膜 结构 |
STRUCTURE ANALYSIS OF C N THIN FILMS PREPARED BY HOT FILAMENT CVD |
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| Geng Dongsheng Yang Zhenjiang Liu Zhengtang Zhang Guifeng. STRUCTURE ANALYSIS OF C N THIN FILMS PREPARED BY HOT FILAMENT CVD[J]. Microfabrication Technology, 1998, 0(3): 72-78 |
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| Authors: | Geng Dongsheng Yang Zhenjiang Liu Zhengtang Zhang Guifeng |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | hot filament CVD C N thin films structure |
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