| 用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术 |
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| 引用本文： | 冯伯儒,张锦,宗德蓉,刘娟,陈宝钦,刘明.用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术[J].光电工程,2004,31(1):1-4,39. |
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| 作者姓名： | 冯伯儒 张锦 宗德蓉 刘娟 陈宝钦 刘明 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,四川,成都,610209
2. 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 ( 60276043)，中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室基金资助课题 |
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| 摘 要： | 用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明,无铬相位光刻(CPL)PSM和高透AttPSM 相结合构成的混合掩模最适合用于193nmArF光刻,以产生100nm节点抗蚀剂图形。
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| 关 键 词： | 激光光刻技术 相移掩模 准分子光刻 |
| 文章编号： | 1003-501X(2004)01-0001-04 |
| 收稿时间： | 2003/9/8 |
Phase-shifting mask for 100nm node ArF excimer laser lithography |
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| FENG Bo-ru,ZHANG Jin,ZONG De-rong,LIU Juan,CHEN Bao-qin,LIU Ming.Phase-shifting mask for 100nm node ArF excimer laser lithography[J].Opto-Electronic Engineering,2004,31(1):1-4,39. |
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| Authors: | FENG Bo-ru ZHANG Jin ZONG De-rong LIU Juan CHEN Bao-qin LIU Ming |
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| Affiliation: | FENG Bo-ru1,ZHANG Jin1,ZONG De-rong1,LIU Juan1,CHEN Bao-qin2,LIU Ming2 |
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| Abstract: | Phase-Shifting Mask (PSM) techniques used in 100nm node ArF excimer laser lithography primarily are chromeless PSM, alternating PSM, attenuated PSM and hybrid PSM. The basic principles, fabrication methods and performance comparison for these masks are analyzed and studied. The research shows that the hybrid mask consisting of chromeless PSM and attenuated PSM with high transmittance is most suitable for creating 100nm node resist patterns in 193nm ArF lithography. |
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| Keywords: | Laser lithography Phase-shifting mask Excimer lithography |
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