| 应用于三维集成的晶圆级键合技术 |
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| 引用本文： | 肖卫平,朱慧珑.应用于三维集成的晶圆级键合技术[J].微电子学,2012,42(6). |
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| 作者姓名： | 肖卫平 朱慧珑 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 随着芯片集成度的不断提高以及CMOS工艺复杂度的增加,集成电路的成本及性能方面的问题越来越突出,基于TSV技术的三维集成已成为研究热点,并很有可能是未来集成电路发展的方向.在三维集成中,键合技术为芯片堆叠提供电学连接和机械支撑,从而实现两层或多层芯片间电路的垂直互连.介绍了几种晶圆级三维集成键合技术的特点及研究现状.
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| 关 键 词： | 金属扩散键合 共晶键合 直接键合 聚合物粘胶键合 混合键合 |
Wafer Level Bonding Technology for 3-D Integration |
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| XIAO Weiping
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ZHU Huilong.Wafer Level Bonding Technology for 3-D Integration[J].Microelectronics,2012,42(6). |
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| Authors: | XIAO Weiping ZHU Huilong |
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