| 二次离子质谱的深度分辨本领 |
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| 引用本文： | 朱怡峥.二次离子质谱的深度分辨本领[J].真空,2000(5):14-17. |
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| 作者姓名： | 朱怡峥 |
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| 作者单位： | [1]清华大学电子工程系,北京 [2]信息产业部电子第四十六研究所,天津 |
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| 摘 要： | 深度剖析是二次离子质谱在半导体以及各种其它薄膜材料分析中最重要的应用，深度分辨本领是表征其分析能力的重要参数，国际标准化组织（ＩＳＯ）最近 在研究和制定这方面的国际标准。本文在概述了ＳＬＭＳ深度分辨本领影响因素的基础上，推导了δ掺杂层深度分辨函数的解析表达式，讨论了其物理意义，特别是分辨参数的定义。在ＣＡＭＥＣＡ ＩＭＳ ４ｆ仪器上用５．５ｋｅＶ的氧束对Ｓｉ中ＧａＡｓδ掺杂多层膜样品进行了深度剖析，讨论了所得分辨参数及影响因素。结合国外实验室ＩＳＯ巡回测试的结果，对深度分辨参数的定义和评估方法进行了简要评述。
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| 关 键 词： | 二次离子质谱 深度分辨 半导体 薄膜材料 分析 |
| 修稿时间： | 2000-05-10 |
Depth
Resolution of Secondary Ion Mass Spectrometry |
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| ZHU Yi zheng ,GUI Dong ,CHEN Ping ,MA Nong nong ,HAN Xiang ming ,CHA Liang zhen.Depth
Resolution of Secondary Ion Mass Spectrometry[J].Vacuum,2000(5):14-17. |
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| Authors: | ZHU Yi zheng GUI Dong CHEN Ping MA Nong nong HAN Xiang ming CHA Liang zhen |
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| Affiliation: | ZHU Yi zheng 1,GUI Dong 1,CHEN Ping 1,MA Nong nong 2,HAN Xiang ming 2,CHA Liang zhen 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SIMS depth profiling depth resolution delta doped |
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