通过对耗尽型场效应晶体管与埋沟MOS电容器的测量来分析体内转移电荷耦合器件的特性

对于体内转移电荷耦合器件的特性分析可以借助于MOS电容器与场效应晶体管的测量结果。我们在MOS电容器和场效应晶体管的氧化层与衬底之间加了一层极性与衬底相反的浅掺杂层,用这样的模型来解释这些器件中观察到的电容——电压(C—V)特性的频率关系。