掺铁氧化锌室温磁性半导体 |
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引用本文: | 文剑锋 刘兴种 曾毅 高俊 张凤鸣 都有为. 掺铁氧化锌室温磁性半导体[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 1180-1181 |
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作者姓名: | 文剑锋 刘兴种 曾毅 高俊 张凤鸣 都有为 |
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作者单位: | 文剑锋(南京大学,固体微结构国家重点实验室,江苏,南京,210093);刘兴种(南京大学,固体微结构国家重点实验室,江苏,南京,210093);曾毅(南京大学,固体微结构国家重点实验室,江苏,南京,210093);高俊(南京大学,固体微结构国家重点实验室,江苏,南京,210093);张凤鸣(南京大学,固体微结构国家重点实验室,江苏,南京,210093);都有为(南京大学,固体微结构国家重点实验室,江苏,南京,210093) |
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基金项目: | 国家重点基础研究发展规划项目(G1999064508) |
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摘 要: | 采用溶胶-凝胶法制备了Zn0.98Fe0.02O块材样品,利用XRD检测了样品的结构.结果表明样品具有ZnO的六角结构,并且只有ZnO的衍射峰出现,没有Fe或Fe的化合物等杂相存在,说明样品只包含单相ZnO.结果还进一步说明掺杂的部分Fe替代了部分Zn的位置.利用VSM所作的分析测量表明,样品是铁磁性的,且居里温度高于室温.
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关 键 词: | 溶胶-凝胶法 氧化锌 磁性半导体 |
文章编号: | 1001-9731(2004)增刊-1180-02 |
修稿时间: | 2004-03-01 |
Diluted magnetic semiconductor at room temperature |
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Abstract: | |
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