首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

掺铁氧化锌室温磁性半导体
引用本文:文剑锋 刘兴种 曾毅 高俊 张凤鸣 都有为. 掺铁氧化锌室温磁性半导体[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 1180-1181
作者姓名:文剑锋 刘兴种 曾毅 高俊 张凤鸣 都有为
作者单位:文剑锋(南京大学,固体微结构国家重点实验室,江苏,南京,210093);刘兴种(南京大学,固体微结构国家重点实验室,江苏,南京,210093);曾毅(南京大学,固体微结构国家重点实验室,江苏,南京,210093);高俊(南京大学,固体微结构国家重点实验室,江苏,南京,210093);张凤鸣(南京大学,固体微结构国家重点实验室,江苏,南京,210093);都有为(南京大学,固体微结构国家重点实验室,江苏,南京,210093)
基金项目:国家重点基础研究发展规划项目(G1999064508)
摘    要:采用溶胶-凝胶法制备了Zn0.98Fe0.02O块材样品,利用XRD检测了样品的结构.结果表明样品具有ZnO的六角结构,并且只有ZnO的衍射峰出现,没有Fe或Fe的化合物等杂相存在,说明样品只包含单相ZnO.结果还进一步说明掺杂的部分Fe替代了部分Zn的位置.利用VSM所作的分析测量表明,样品是铁磁性的,且居里温度高于室温.

关 键 词:溶胶-凝胶法  氧化锌  磁性半导体
文章编号:1001-9731(2004)增刊-1180-02
修稿时间:2004-03-01

Diluted magnetic semiconductor at room temperature
Abstract:
Keywords:
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号