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ZnO薄膜紫外受激发射研究的最新进展
引用本文:吕建国,叶志镇,汪雷. ZnO薄膜紫外受激发射研究的最新进展[J]. 半导体光电, 2002, 23(3): 154-158. DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.03.003
作者姓名:吕建国  叶志镇  汪雷
作者单位:浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划);G20000683-06;
摘    要:ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优良的晶格、光学和电学性能,其显著优点是在紫外波段存在着受激发射.光泵浦紫外受激发射的获得和自形成谐振腔的发现,使ZnO薄膜成为一种备受青睐的新型光电材料,在紫外探测器,LED,LD等领域有着广阔的应用前景.文章详细阐述了ZnO薄膜的紫外受激发射研究的最新进展.

关 键 词:ZnO薄膜  紫外受激发射  光泵浦  自形成谐振腔
文章编号:1001-5868(2002)03-0154-05
修稿时间:2001-12-11

Recent Advance in Research on Ultraviolet Stimulated Emission for ZnO Films
LU Jian guo,YE Zhi zhen,WANG Lei. Recent Advance in Research on Ultraviolet Stimulated Emission for ZnO Films[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2002, 23(3): 154-158. DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.03.003
Authors:LU Jian guo  YE Zhi zhen  WANG Lei
Abstract:
Keywords:ZnO thin films  ultraviolet stimulated emission  optical pumping  self assembled reciprocal stripe
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