| 用电共沉积方法制备InGaAs薄膜 |
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| 引用本文： | 王喜莲,李浴春,韩爱珍,高元恺,杨志伟. 用电共沉积方法制备InGaAs薄膜[J]. 材料研究学报, 2001, 15(4): 451-454 |
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| 作者姓名： | 王喜莲 李浴春 韩爱珍 高元恺 杨志伟 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学;山东大学 |
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| 基金项目： | 航天工业总公司预研项目． |
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| 摘 要： | 用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率。结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V－I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大。InGaAs薄膜的发射光波长为1.3-1.5μm。
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| 关 键 词： | InGaAs薄膜 电共沉积 |
| 文章编号： | 1005-3093(2001)04-0451-04 |
| 修稿时间： | 2000-07-10 |
PREPARATION AND PERFORMANCE OF InGaAs THIN FILM BY ELECTRODEPOSIT |
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| WANG Xilian LI Yuchun HAN Aizhen GAO Yuankai. PREPARATION AND PERFORMANCE OF InGaAs THIN FILM BY ELECTRODEPOSIT[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2001, 15(4): 451-454 |
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| Authors: | WANG Xilian LI Yuchun HAN Aizhen GAO Yuankai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAs thin film electrodeposit |
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