| V2O5复合薄膜材料的电子结构研究 |
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| 引用本文： | 周静,陈文,徐庆,闵新民. V2O5复合薄膜材料的电子结构研究[J]. 硅酸盐学报, 2002, 30(2): 208-211 |
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| 作者姓名： | 周静 陈文 徐庆 闵新民 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉,430070;武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉,430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(59802009,50172036);湖北省自然科学基金资助项目(99J053). |
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| 摘 要： | 采用自洽场离散为分Xα方法对纯V2O5及V2O5复合薄膜不同状态的O1s及V2p轨道电子结合能和键强度等进行了研究。结果表明,V2O5结构中存在4种状态的氧和3种状态的钒,聚合物（PEO）和聚合物（PEO）－Li^2 嵌入V2O5结构主要存在于层间的位置,与双键氧产生弱的键合作用,导致对双键氧与五价钒的含量降低,三键氧与三价、四价的含量增加;纯V2O5层间嵌入的Li^ 与周围氧的共价链与静电力都非常明显,V2O5层间引入PEO后再嵌入Li^ ,Li^ 与周围氧的共价键与静电力都变的非常微弱,说明PEO嵌入V2O5层间使Li^ 具有很好的注和／脱出可逆性。
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| 关 键 词： | 五氧化二钒 复合薄膜 结合能 键强度 电子结构 |
| 文章编号： | 0454-5648(2002)02-0208-04 |
| 修稿时间： | 2001-03-23 |
STUDY ON ELECTRONIC STRUCTURE OF V2O5 COMPOSITE FILMS |
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| ZHOU Jing ,CHEN Wen ,,XU Qing ,,MIN Xinmin. STUDY ON ELECTRONIC STRUCTURE OF V2O5 COMPOSITE FILMS[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2002, 30(2): 208-211 |
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| Authors: | ZHOU Jing CHEN Wen XU Qing MIN Xinmin |
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| Affiliation: | ZHOU Jing 1,CHEN Wen 1,2,XU Qing 1,2,MIN Xinmin 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | vanadium pentoxide composite film binding energy bond strength electronic structure |
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