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| 高速沉积氮化硅薄膜对其化学键及性能的影响 | |
| 引用本文： | 谢振宇,龙春平,邓朝勇,胡文成.高速沉积氮化硅薄膜对其化学键及性能的影响[J].液晶与显示,2007,22(1):26-31. |
| 作者姓名： | 谢振宇 龙春平 邓朝勇 胡文成 |
| 作者单位： | 1. 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;北京京东方光电科技有限公司,工艺开发科,北京,100176 2. 北京京东方光电科技有限公司,工艺开发科,北京,100176 3. 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 采用等离子增强型化学气相沉积法(RF-PECVD),源气体为NH3/SiH4/N2的混合气体,在330℃的温度下沉积a-SiNx∶H薄膜。研究表明在反应气体流量一定的情况下,反应腔气压对薄膜沉积速率影响最大。采用Fourier红外吸收光谱技术分析a-SiNx∶H薄膜中化学键结构,随着沉积速率的提高,薄膜的化学键结构发生变化,N—H键含量和氮含量增大,Si—H键含量和氢含量降低。薄膜沉积速率是影响薄膜物理和光学性质的重要工艺参数。禁带宽度(E04)主要受薄膜中氮原子含量的调制,随着沉积速率增大,氮原子含量增大。另外,介电常数和折射系数则随之增大。最后得到满足薄膜晶体管性能要求的最佳工艺参数。 |
| 关 键 词： | 氢化非晶氮化硅 沉积速率 禁带宽度 介电常数 反射系数 |
| 文章编号： | 1007-2780（2007）01-0026-06 |
| 收稿时间： | 2006-09-01 |
| 修稿时间： | 2006-09-012006-11-20 |
Effect of High Deposition Rate on Chemical Bonds and Properties of SiN Film |
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| XIE Zhen-yu,LONG Chun-ping,DENG Chao-yong,HU Wen-cheng.Effect of High Deposition Rate on Chemical Bonds and Properties of SiN Film[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2007,22(1):26-31. | |
| Authors: | XIE Zhen-yu LONG Chun-ping DENG Chao-yong HU Wen-cheng |
| Affiliation: | 1. School of Microelectronics and Solid-state Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China, 2. Process Engineering Department, BOE Optoelectronics Technology Co. , Ltd, Beijing 100176, China |
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