| A位掺杂Bi4Ti3O12陶瓷的铁电性能研究 |
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| 引用本文： | 肖昕,祁亚军,卢朝靖.A位掺杂Bi4Ti3O12陶瓷的铁电性能研究[J].功能材料,2006,37(10):1564-1565,1568. |
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| 作者姓名： | 肖昕 祁亚军 卢朝靖 |
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| 作者单位： | 1. 深圳天马微电子股份有限公司,广东,深圳,518052
2. 湖北大学,物理学与电子技术学院,湖北,武汉,430062 |
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| 摘 要： | 用传统固相烧结工艺,制备了纯相的Bi4Ti3O12 (BTO)陶瓷,A位掺杂的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT),Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电陶瓷.X射线衍射结果表明,所有样品均为单一的层状钙钛矿结构,La、Nd掺杂未改变BTO的晶体结构.铁电测试结果表明,BTO、BLT和BNdT陶瓷的剩余极化2Pr值分别为12.4、23.8和39.4μC/cm2.A位掺杂后,BLT、BNdT的2Pr值比未掺杂的BTO分别提高了1.92和3.18倍.漏电流测试表明,BLT、BNdT陶瓷的漏电流密度比BTO明显降低.A位掺杂显著提高了BTO陶瓷的铁电性能.
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| 关 键 词： | 铁电性 陶瓷 A位 掺杂 |
| 文章编号： | 1001-9731（2006）10-1564-02 |
| 收稿时间： | 2006-04-07 |
| 修稿时间： | 2006-04-072006-08-23 |
A-site doping effect on ferroelectric properties of Bi4Ti3O12 ceramics |
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| XIAO Xin,QI Ya-jun,LU Chao-jing.A-site doping effect on ferroelectric properties of Bi4Ti3O12 ceramics[J].Journal of Functional Materials,2006,37(10):1564-1565,1568. |
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| Authors: | XIAO Xin QI Ya-jun LU Chao-jing |
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| Affiliation: | 1. Shenzhen Tianma Microelectronics Co. Ltd. , Shenzhen 518052, China; 2. School of Physics and Electronic Technology, Hubei University,Wuhan 430062,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ferroelectric ceramics A-site doping |
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