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| GaAs∶Cs-O NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算 | |
| 引用本文： | 宗志园,富容国,钱芸生,常本康.GaAs∶Cs-O NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算[J].红外技术,2002,24(3). |
| 作者姓名： | 宗志园 富容国 钱芸生 常本康 |
| 作者单位： | 南京理工大学,电子工程与光电技术学院,南京,210094 |
| 摘 要： | 介绍了计算CaAs∶Cs-O NEA光电阴极电子表面逸出几率的方法,选用双偶极层表面模型,计算了两个偶极层形成的界面势垒各自对电子表面逸出几率的影响,提出了增大电子表面逸出几率的条件,并粗略推测了第一偶极层的厚度. |
| 关 键 词： | 光电阴极 电子 表面逸出几率 偶极层 |
Calculation of Electron Surface Escape Probability of GaAs∶Cs-O NEA Photocathodes |
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| Abstract: | |
| Keywords: | NEA |
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