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GMR薄膜抗辐照性能研究
作者姓名:郑洋  曲炳郡  赵复龙  任天令  刘理天
作者单位:.清华大学微电子学研究所 北京 100084
摘    要:研究了两种不同材料构成自旋阀结构的巨磁电阻 (Giant magneto resistance,GMR)多层膜受质子辐照、电子辐照和γ射线辐照的影响。实验结果表明,辐照会引起磁电阻率的略微下降,但降幅均低于10%,并且GMR薄膜的矫顽力和交换场并不受辐照的影响。对比发现,GMR元件受太空环境中以质子辐射为主的影响非常小,这表明GMR元件在空间应用中具有广阔的前景。

关 键 词:巨磁电阻  质子辐照  电子辐照  γ辐照
收稿时间:2010-01-04
修稿时间:2010-03-15
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