| Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅研究 |
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| 引用本文： | 朱宝,李连杰,丁士进,张卫. Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅研究[J]. 半导体技术, 2012, 37(9): 693-697 |
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| 作者姓名： | 朱宝 李连杰 丁士进 张卫 |
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| 作者单位： | 复旦大学微电子研究院,上海,200433;复旦大学微电子研究院,上海,200433;复旦大学微电子研究院,上海,200433;复旦大学微电子研究院,上海,200433 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61076076) |
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| 摘 要： | ![]()
首先在SiO2/Si衬底上磁控溅射了一层超薄Pt薄膜,并通过快速热退火形成了分离的Pt纳米颗粒阵列。接着研究了在氢氟酸和双氧水的混合溶液中Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅片的特性。结果表明,当氢氟酸的浓度为1.06 mol/L时,样品表面分布着许多Pt岛链,在硅衬底表面没有观察到任何孔洞;当氢氟酸的浓度上升到5.3 mol/L时,样品表面起伏不平,出现许多大小不一的小丘,岛链状Pt减少;当氢氟酸的浓度增加到26.5 mol/L时,样品表面出现大量的孔洞,Pt岛链进一步减少。通过对样品的剖面结构进行观察,发现硅衬底中形成了致密的介孔,同时还观察到底部含有Pt岛状物的不规则沟槽,并且介孔的生长速率快于沟槽。最后,对上述实验现象的形成机制进行了讨论。
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| 关 键 词： | 重掺杂p型单晶硅 Pt纳米颗粒 快速热退火 辅助化学刻蚀 氢氟酸浓度 |
Research on Pt Nanoparticles-Assisted Chemical Etching of Heavily Doped p-Type Monocrystalline Silicon |
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| Zhu Bao,Li Lianjie,Ding Shijin,Zhang Wei. Research on Pt Nanoparticles-Assisted Chemical Etching of Heavily Doped p-Type Monocrystalline Silicon[J]. Semiconductor Technology, 2012, 37(9): 693-697 |
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| Authors: | Zhu Bao Li Lianjie Ding Shijin Zhang Wei |
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| Affiliation: | (School of Microelectronics,Fudan University,Shanghai 200433,China) |
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| Abstract: | ![]()
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