| PMN-PT单晶淬火处理对介电性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 闫宗林 姚熹 张良莹 严辉. PMN-PT单晶淬火处理对介电性能的影响[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 1461-1463 |
| |
| 作者姓名： | 闫宗林 姚熹 张良莹 严辉 |
| |
| 作者单位： | 闫宗林（北京工业大学,材料学院,薄膜材料与技术研究室,北京,100022;同济大学,功能材料研究所,上海,200092）;姚熹（同济大学,功能材料研究所,上海,200092）;张良莹（同济大学,功能材料研究所,上海,200092）;严辉（北京工业大学,材料学院,薄膜材料与技术研究室,北京,100022） |
| |
| 摘 要： | ![]()
通过淬火处理可以使弛豫型PMN-PT单晶中一些应力集中的区域产生应力场致相变,在Td处产生宏畴,从而在温谱上Td处的介电峰强化.研究表明,经淬火处理单晶谐振极化所对应的低温介电行为受到压制,主介电峰变窄,峰值变高并稍向高温方向移动;频率弥散减弱,弛豫性变小.
|
| 关 键 词： | 应力场致相变 内应力 淬火 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-1461-03 |
| 修稿时间： | 2004-04-28 |
The influence of quenching process on the dielectric character in single crystal PMN-PT |
| |
| Abstract: | ![]()
|
| |
| Keywords: | |
|
|
