| 氮化硅表面DLC膜压痕过程的分子动力学模拟 |
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| 引用本文： | 李军,古乐,郑德志.氮化硅表面DLC膜压痕过程的分子动力学模拟[J].润滑与密封,2012(9):10-14,27. |
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| 作者姓名： | 李军 古乐 郑德志 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学机电工程学院 黑龙江哈尔滨150001 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(NSFC50875058) |
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| 摘 要： | 对β Si 3 N4基体表面DLC薄膜压痕过程进行分子动力学模拟.压入过程模拟采用刚性球形压头与Tersoff势函数,考虑薄膜密度、膜厚、压入深度和基体属性对压痕过程的影响.模拟结果显示:薄膜抗压变形能力随着薄膜密度增加而变强,随着薄膜厚度增加而变弱;随压入深度增加,接触区内原子平均势能增加并转化为动能,导致温度升高, DLC膜中sp3键比例和配位数为5原子数增加,薄膜硬度增加.β Si 3 N4基体属性对薄膜压痕特性产生影响,高硬度基体表面D L C膜的抗压变形能力更强,但随薄膜厚度增加其影响逐渐减弱.
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| 关 键 词： | 类金刚石碳膜 氮化硅 纳米压痕 分子动力学模拟 |
Molecular Dynamic Simulations of Nano-indentation Processes for DLC Films on Silicon Nitride Substrate |
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| Li Jun Gu Le Zheng Dezhi.Molecular Dynamic Simulations of Nano-indentation Processes for DLC Films on Silicon Nitride Substrate[J].Lubrication Engineering,2012(9):10-14,27. |
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| Authors: | Li Jun Gu Le Zheng Dezhi |
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| Affiliation: | Li Jun Gu Le Zheng Dezhi (School of Mechatronics Engineering,Harbin Institute of Technology,Harbin Heilongjiang 150001,China) |
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