| 0.13μm CMOS高精度过温保护电路的设计 |
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| 引用本文： | 刘磊,罗萍,李航标.0.13μm CMOS高精度过温保护电路的设计[J].微电子学,2013,43(3). |
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| 作者姓名： | 刘磊 罗萍 李航标 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用0.13 μm CMOS工艺,设计了一款过温保护电路.芯片内部温度超过109℃时,产生过温保护信号,电路停止工作,从而起到保护作用.为了防止产生热振荡,采用滞回方式.设计实现了在109℃时关断,78℃时再次开启,有31℃滞迟.仿真结果显示,在电源电压波动或工艺参数变化时,过温保护电路的热关断及迟滞阈值点漂移最大误差仅为2℃,稳定性好.
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| 关 键 词： | 过温保护电路 热关断 稳定性 |
Design of a High Precision Over-Temperature Protection Circuit Based on 0.13 μm CMOS Process |
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| LIU Lei,LUO Ping,LI Hangbiao.Design of a High Precision Over-Temperature Protection Circuit Based on 0.13 μm CMOS Process[J].Microelectronics,2013,43(3). |
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| Authors: | LIU Lei LUO Ping LI Hangbiao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Over temperature protection circuit Thermal shutdown Stability |
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